Samsung 990 1 TB SSD
Interní SSD Samsung 990 v provedení M.2 2280 s kapacitou 1 TB a rozhraním PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0 nabízí sekvenční rychlost čtení až 7 150 MB/s a zápisu až 6 450 MB/s.
Disk je vybaven vlastním řadičem Samsung a pamětí Samsung V-NAND. Místo dedikované vyrovnávací paměti využívá technologii HMB (Host Memory Buffer), která čerpá z operační paměti hostitelského systému. Díky tomu je konstrukce úsporná a disk dosahuje vysokého výkonu i v prostředích s omezeným napájením, jako jsou notebooky.
Samsung 990 je vhodný pro náročné klientské aplikace – od rychlého spouštění her a přenosu rozsáhlých mediálních souborů až po práci s velkými projektovými archivy. Náhodné rychlosti dosahují až 700 000 IOPS při čtení a 1 100 000 IOPS při zápisu, což zajišťuje plynulý chod i při intenzivní práci s mnoha malými soubory.
- Rozhraní PCIe 4.0 x4 s protokolem NVMe 2.0 zajišťuje sekvenční rychlost čtení až 7 150 MB/s a zápisu až 6 450 MB/s.
- Kapacita 1 TB poskytuje dostatek prostoru pro rozsáhlé herní knihovny, 4K videozáznamy i dlouhodobé archivy.
- Náhodná rychlost zápisu až 1 100 000 IOPS a čtení až 700 000 IOPS zajišťují rychlou odezvu při práci s mnoha soubory současně.
- Technologie HMB (Host Memory Buffer) využívá operační paměť systému jako vyrovnávací paměť a přispívá k nízké spotřebě energie.
- Průměrná spotřeba energie při čtení 4 W a při zápisu 3,7 W; v režimu spánku pouze 3 mW.
- Podpora 256bitového šifrování AES, standardů TCG/Opal V2.0 a šifrovaného disku IEEE 1667 chrání uložená data.
- Formát M.2 2280 s rozměry 80,15 × 22,15 × 2,38 mm a hmotností 9 g je vhodný pro desktopy i notebooky.
- Spolehlivost podpořena hodnotou MTBF 1,5 milionu hodin a odolností vůči nárazům 1 500 G po dobu 0,5 ms ve 3 osách.
Správa a zabezpečení
Disk podporuje funkce TRIM, S.M.A.R.T. a automatický Garbage Collection pro dlouhodobé udržení výkonu a integrity dat. Ke správě, monitorování stavu a aktualizaci firmwaru slouží software Samsung Magician.
Provozní podmínky
Provozní teplota disku je v rozsahu 0 až +70 °C. Napájení probíhá napětím 3,3 V ± 5 %. Disk podporuje režim spánku (Device Sleep) se spotřebou typicky 3 mW.
ZÁKLADNÍ SPECIFIKACE
Kapacita: 1 TB
Typ zařízení: M.2 2280
Rozhraní: PCIe 4.0 x4, NVMe 2.0
Sekvenční čtení: 7 150 MB/s
Sekvenční zápis: 6 450 MB/s
Náhodné čtení: 700 000 IOPS
Náhodný zápis: 1 100 000 IOPS
Paměť: Samsung V-NAND
Vyrovnávací paměť: HMB (Host Memory Buffer)
Šifrování: 256bitové AES, TCG/Opal V2.0, IEEE 1667
Spotřeba energie (čtení/zápis): 4 W / 3,7 W
Spotřeba energie (neaktivní): 55 mW
Spotřeba energie (režim spánku): 3 mW
Napájení: 3,3 V ± 5 %
Provozní teplota: 0 až +70 °C
Odolnost vůči nárazům: 1 500 G / 0,5 ms / 3 osy
MTBF: 1 500 000 hodin
Rozměry: 80,15 × 22,15 × 2,38 mm
Hmotnost: 9 g
Viac z kategórie
223,48 €
181,69 € bez DPH
Nový komentár